Anwender aus dem asiatischen, europäischen und nordamerikanischen Raum sind überzeugt: Der neue 8-Mbit-FRAM von Fujitsu wird seinen Siegeszug in Industrieanlagen antreten und den bisher verwendeten SRAM ablösen.
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Moderner 8-Mbit-FRAM von Fujitsu überzeugt
Eine einfache Anwendung, eine hohe Anzahl von Lese- und Schreibzyklen sowie ein geringer Stromverbrauch machen den neuen 8-Mbit-FRAM derzeit einzigartig. Die aktuell bestmögliche Performance für einen nichtflüchtigen Speicher überzeugt auch Kritiker.
Bis zu 100 Trillionen Lese- und Schreibzyklen sollen möglich sein, der Stromverbrauch im Stand-by-Modus liegt nur noch im Bereich von 150 µA. Bisher galten entsprechende FRAM schon mit 300 µA als sehr sparsam. Unternehmen dürfte es freuen, denn mit einem geringen Stromverbrauch gehen auch niedrigere Kosten einher. Zudem wird der Anspruch an die Nachhaltigkeit umgesetzt.
Damit ist der 8-Mbit-FRAM eine Meisterleistung der Technologieexperten, die Experten aus aller Welt überzeugt. Nicht nur die Luft- und Raumfahrttechnik, wo derartige Speicher üblich sind, gehören zu den Zielanwendern für den modernen FRAM, auch die Industrie gehört dazu. Moderne Produktionsanlagen sollen eine bestmögliche Effizienz aufweisen und gerade diese ist mit dem FRAM zu erreichen.
Nicht grundsätzlich neu
Der Hersteller hat mit FRAM kein grundsätzlich neues Produkt geschaffen, denn nichtflüchtige Speicher sind bereits seit mehr als 20 Jahren im Einsatz. Vielmehr gibt es einige Vorteile, die den Speicher zu einem Novum machen und die Anwender überzeugen. Damit sind zum einen die Lese- und Schreibzyklen gemeint, die bisher nicht in einer Zahl von bis zu 100 Trillionen möglich waren.
Wichtige Neuerungen betreffen aber zum Beispiel die Betriebsgeschwindigkeit, die deutlich höher liegt als bei den Speichern, die mittlerweile seit rund 20 Jahren verwendet werden. Auch der deutlich niedrigere Energieverbrauch spielt hier eine wesentliche Rolle. Die weite Spannungsversorgung von 1,8 bis 3,6 Volt ist ebenfalls ein Pluspunkt für diesen Speicher und kommt der diesbezüglichen Forderung der Anwender entgegen.
Video: Fujitsu Launches New 8Mbit FRAM Guaranteeing Writing Endurance up to 100 Trillion Times
Perfekte Anpassung an die Kundenwünsche
Der 8-Mbit-FRAM stellt eine optimale Anpassung an die Wünsche der Kunden dar, die Fujitsu immer wieder abfragt und versucht, bei Neuentwicklung mit einzubringen. Der 8-Mbit-FRAM ist in einem Gehäuse des 4-Mbit-FRAM verbaut, außerdem ist er in einem 48-Pin-FBGA-Gehäuse erhältlich. Viele Anwender monierten zudem beim SRAM, dass eine Pufferbatterie nötig war.
Dies gilt für den FRAM nicht mehr. Auch das Schnittstellendesign muss nicht verändert werden, damit eine deutlich höhere Schreib- und Lesegeschwindigkeit erreicht wird. Der niedrige Stromverbrauch ist als Umweltaspekt unbedingt erwähnenswert, ebenso wie der geringe CO2-Ausstoß bei der Produktion des FRAMs. Die Japaner haben es damit geschafft, ein neues Produkt basierend auf bekannter Technologie zu schaffen und dabei die Wünsche von Anwendern und dem eigenen Unternehmen unter einen Hut zu bringen.
Über die Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
Der 8-Mbit-FRAM ist eine neue, grandiose Idee aus dem Hause Fujitsu und komplettiert das Angebot an hochleistungsfähigen Produkten und nichtflüchtigen Speichern. Letztere haben sich in der praktischen Anwendung als unverzichtbar erwiesen und sind als fester Bestandteil auf dem Markt zu finden.
Die Limited wurde im Jahr 2020 als Tochterunternehmen gegründet und setzt auf ein breites Netzwerk im Bereich Vertrieb und Entwicklung. Die Halbleiterspeicherlösungen werden auf drei Kontinenten vertrieben.
Wer mehr wissen möchte, wendet sich bitte an den Pressekontakt der Unternehmenszentrale Deutschland:
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